《集成電路應用》期刊提供以下投稿方式及注意事項:
一、在線投稿:通過期刊官網在線投稿,系統支持稿件上傳、進度查詢及審稿意見反饋,需注冊賬號后提交。
二、郵箱投稿:部分欄目接受郵箱投稿,《集成電路應用》期刊地址:上海市宜山路810號中電貝嶺大廈17層。
三、注意事項:在投稿前,務必仔細閱讀投稿指南和要求,確保稿件內容、格式等方面符合要求。
投稿須知:
(一)應盡量簡潔、準確,一般不超過20字。
(二)參考文獻附于正文之后,所列文獻必須是文中提及的,與正文相對應的。
(三)文章關鍵要素,需有英文摘要。
(四)來稿須為作者本人原創,且未公開發表,稿件內容要求文字精煉、層次清晰、觀點鮮明。來稿確保不涉及保密信息、署名無爭議,因文字、引注、圖片等引發的觀點或版權問題,皆由作者本人承擔。
(五)借喻詞一般需用“”號;課題名用“”號,不用“《》”。
保持聯系暢通:在投稿后,保持聯系方式暢通,以便編輯部在審核過程中能夠及時與作者溝通。
耐心等待審核:由于編輯部工作量較大,審核過程可能需要一定時間,預計審稿時間為:1個月內,作者應耐心等待審核結果,并避免頻繁催稿。
綜上所述,向《集成電路應用》期刊投稿可以選擇在線投稿或郵箱投稿兩種方式。在投稿過程中,作者應仔細閱讀投稿指南和要求,確保稿件內容、格式等方面符合要求,并保持聯系方式暢通以便與編輯部溝通。
《集成電路應用》期刊是一本在我國電力領域具有廣泛影響力的學術期刊。它致力于為電力理論研究者和電力實踐工作者搭建交流平臺,全方位展示電力領域的前沿成果與實踐經驗,創刊于1984年,是由中國電子信息產業集團有限公司主管,上海貝嶺股份有限公司主辦的學術理論期刊,國際刊號:1674-2583,國內刊號:31-1325/TN。
集成電路應用發表范例
-
28 nm鍺硅工藝極微小顆粒缺陷監控方法與改善措施研究
作者:龍吟; 范榮偉; 羅興華
-
LDD后熱處理工藝對28 nm PMOSFET短溝道效應的影響
作者:朱巧智; 劉巍; 李潤領
-
40 nm CMOS工藝平臺多叉指NMOS器件設計與截止頻率提升
作者:王全; 劉林林; 馮悅怡
-
一種通過優化熱處理條件提升CIS器件性能的方法
作者:王艷生; 焦爽; 秋沉沉; 徐炯
-
金屬硅化物阻擋層刻蝕對一次性編程單元數據保持性能的影響
作者:黃慶豐
-
射頻器件在片測試結構與去嵌入方法
作者:王全; 劉林林; 馮悅怡
-
多腔體密封集成電路的顆粒碰撞噪聲檢測PIND研究
作者:李秋楓
-
基于圖像分析的CD-SEM顯微視覺清晰度檢測技術研究
作者:姜國偉; 田寶; 章屠靈
-
一種應用于半導體制造業的支持向量機SVM檢測方法
作者:王艷生; 俞微; 魏崢穎
-
CTP觸控模組表面貼裝SMT工藝研究
作者:黃貴松; 鄧雄; 崔衛星
本文內容整理自網絡公開平臺,如遇信息錯誤,請及時通過在線客服與我們聯系。