當稿件被《集成電路應用》期刊退修后,可按以下流程進行修改,以提高錄用概率:
一、分析退稿原因
1.?仔細閱讀退稿通知:明確編輯或審稿人指出的問題,如選題不符、創新性不足、數據缺陷或語言表達問題?。
2.區分退稿類型:可修改退稿、拒稿(若意見表明“研究方向不符”,建議改投其他期刊)
二、針對性修改策略
1.深入探討研究問題,提供更全面、深入的分析和討論。
2.增加相關理論背景和文獻綜述,以支持研究論點的合理性和創新性。
三、重新投稿準備
1.?附修改說明:逐條回應審稿意見,說明修改內容及依據。
2.核對期刊要求:
(一)應盡量簡潔、準確,一般不超過20字。
(二)參考文獻附于正文之后,所列文獻必須是文中提及的,與正文相對應的。
(三)文章關鍵要素,需有英文摘要。
(四)來稿須為作者本人原創,且未公開發表,稿件內容要求文字精煉、層次清晰、觀點鮮明。來稿確保不涉及保密信息、署名無爭議,因文字、引注、圖片等引發的觀點或版權問題,皆由作者本人承擔。
(五)借喻詞一般需用“”號;課題名用“”號,不用“《》”。
綜上所述,通過不斷地修改和完善,提高稿件的質量和學術水平,增加被期刊錄用的機會。
《集成電路應用》是一本在電力領域具有較高影響力的學術理論期刊,于1984年創刊,由中國電子信息產業集團有限公司主管,上海貝嶺股份有限公司主辦,為月刊,國內統一刊號為CN:31-1325/TN,國際標準刊號為ISSN:1674-2583。
該刊設置了產業評論、市場分析、設計與研究、工藝與制造、創新應用、新產品、區域動態、讀者信箱等欄目,覆蓋電力領域多個研究方向,以反映電力領域的最新動態和發展趨勢。
集成電路應用發表范例
-
28 nm鍺硅工藝極微小顆粒缺陷監控方法與改善措施研究
作者:龍吟; 范榮偉; 羅興華
-
LDD后熱處理工藝對28 nm PMOSFET短溝道效應的影響
作者:朱巧智; 劉巍; 李潤領
-
40 nm CMOS工藝平臺多叉指NMOS器件設計與截止頻率提升
作者:王全; 劉林林; 馮悅怡
-
一種通過優化熱處理條件提升CIS器件性能的方法
作者:王艷生; 焦爽; 秋沉沉; 徐炯
-
金屬硅化物阻擋層刻蝕對一次性編程單元數據保持性能的影響
作者:黃慶豐
-
射頻器件在片測試結構與去嵌入方法
作者:王全; 劉林林; 馮悅怡
-
多腔體密封集成電路的顆粒碰撞噪聲檢測PIND研究
作者:李秋楓
-
基于圖像分析的CD-SEM顯微視覺清晰度檢測技術研究
作者:姜國偉; 田寶; 章屠靈
-
一種應用于半導體制造業的支持向量機SVM檢測方法
作者:王艷生; 俞微; 魏崢穎
-
CTP觸控模組表面貼裝SMT工藝研究
作者:黃貴松; 鄧雄; 崔衛星
本文內容整理自網絡公開平臺,如遇信息錯誤,請及時通過在線客服與我們聯系。