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集成電路應用雜志退回來的稿件怎么修改?

當稿件被《集成電路應用》期刊退修后,可按以下流程進行修改,以提高錄用概率:

一、分析退稿原因

1.?仔細閱讀退稿通知:明確編輯或審稿人指出的問題,如選題不符、創新性不足、數據缺陷或語言表達問題?。

2.區分退稿類型:可修改退稿、拒稿(若意見表明“研究方向不符”,建議改投其他期刊)

二、針對性修改策略

1.深入探討研究問題,提供更全面、深入的分析和討論。

2.增加相關理論背景和文獻綜述,以支持研究論點的合理性和創新性。

三、重新投稿準備

1.?附修改說明:逐條回應審稿意見,說明修改內容及依據。

2.核對期刊要求:

(一)應盡量簡潔、準確,一般不超過20字。

(二)參考文獻附于正文之后,所列文獻必須是文中提及的,與正文相對應的。

(三)文章關鍵要素,需有英文摘要。

(四)來稿須為作者本人原創,且未公開發表,稿件內容要求文字精煉、層次清晰、觀點鮮明。來稿確保不涉及保密信息、署名無爭議,因文字、引注、圖片等引發的觀點或版權問題,皆由作者本人承擔。

(五)借喻詞一般需用“”號;課題名用“”號,不用“《》”。

綜上所述,通過不斷地修改和完善,提高稿件的質量和學術水平,增加被期刊錄用的機會。

《集成電路應用》是一本在電力領域具有較高影響力的學術理論期刊,于1984年創刊,由中國電子信息產業集團有限公司主管,上海貝嶺股份有限公司主辦,為月刊,國內統一刊號為CN:31-1325/TN,國際標準刊號為ISSN:1674-2583。

該刊設置了產業評論、市場分析、設計與研究、工藝與制造、創新應用、新產品、區域動態、讀者信箱等欄目,覆蓋電力領域多個研究方向,以反映電力領域的最新動態和發展趨勢。

集成電路應用發表范例

  • 28 nm鍺硅工藝極微小顆粒缺陷監控方法與改善措施研究

    作者:龍吟; 范榮偉; 羅興華

  • LDD后熱處理工藝對28 nm PMOSFET短溝道效應的影響

    作者:朱巧智; 劉巍; 李潤領

  • 40 nm CMOS工藝平臺多叉指NMOS器件設計與截止頻率提升

    作者:王全; 劉林林; 馮悅怡

  • 一種通過優化熱處理條件提升CIS器件性能的方法

    作者:王艷生; 焦爽; 秋沉沉; 徐炯

  • 金屬硅化物阻擋層刻蝕對一次性編程單元數據保持性能的影響

    作者:黃慶豐

  • 射頻器件在片測試結構與去嵌入方法

    作者:王全; 劉林林; 馮悅怡

  • 多腔體密封集成電路的顆粒碰撞噪聲檢測PIND研究

    作者:李秋楓

  • 基于圖像分析的CD-SEM顯微視覺清晰度檢測技術研究

    作者:姜國偉; 田寶; 章屠靈

  • 一種應用于半導體制造業的支持向量機SVM檢測方法

    作者:王艷生; 俞微; 魏崢穎

  • CTP觸控模組表面貼裝SMT工藝研究

    作者:黃貴松; 鄧雄; 崔衛星

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集成電路應用雜志

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主辦單位:上海貝嶺股份有限公司

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