《半導體信息》期刊提供以下投稿方式及注意事項:
一、在線投稿:通過期刊官網在線投稿,系統支持稿件上傳、進度查詢及審稿意見反饋,需注冊賬號后提交。
二、郵箱投稿:部分欄目接受郵箱投稿,《半導體信息》期刊地址:南京市1601信箱43分箱(南京市中山東路524號)。
三、注意事項:在投稿前,務必仔細閱讀投稿指南和要求,確保稿件內容、格式等方面符合要求。
投稿須知:
(一)若有基金資助,請在題名下方另行“基金項目”寫明項目全稱及批號,并上傳基金批文復印件。
(二)文稿標題層次用阿拉伯數字分級編號,如1級標題用 1……,2級標題用1.1……,余類推。通常設2至3級,不超過4級。文內標題力求簡短,一般不超過15個字。
(三)參考文獻:列出作者親自閱讀過的、公開發表的文獻。
(四)關鍵詞論著須分別在中、英文摘要后標引2~5個中、英文關鍵詞。
(五)作者姓名在題名下按序排列,排序應由全體作者共同討論確定,稿件受理后不應再作改動。確需改動時,必須出示單位證明以及所有作者親筆簽名表明對署名改動無異議的書面證明。
保持聯系暢通:在投稿后,保持聯系方式暢通,以便編輯部在審核過程中能夠及時與作者溝通。
耐心等待審核:由于編輯部工作量較大,審核過程可能需要一定時間,預計審稿時間為:1個月內,作者應耐心等待審核結果,并避免頻繁催稿。
綜上所述,向《半導體信息》期刊投稿可以選擇在線投稿或郵箱投稿兩種方式。在投稿過程中,作者應仔細閱讀投稿指南和要求,確保稿件內容、格式等方面符合要求,并保持聯系方式暢通以便與編輯部溝通。
《半導體信息》期刊是一本在我國電子領域具有廣泛影響力的學術期刊。它致力于為電子理論研究者和電子實踐工作者搭建交流平臺,全方位展示電子領域的前沿成果與實踐經驗,創刊于1990年,是由中國半導體行業協會分立器件專業協會 信息產業部電子第五十五研究所主管,中國半導體行業協會分立器件分會;中國電子科技集團公司第五十五研究所主辦的學術理論期刊。
半導體信息發表范例
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力特公司推出首款1700V SiC MOSFET
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提高車載充電器效率 英飛凌推首款車用碳化硅產品
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英飛凌推出新型950V CoolMOS P7超結MOSFET器件
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埃賦隆半導體推出大功率堅固型BLF189XRA RF功率晶體管
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Integra公司推出用于敵我識別器航空電子設備的射頻和微波晶體管
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Ampleon面向粒子加速器推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶體管而引領射頻功率效率
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英國比克科技兩款射頻新產品
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Empower RF 推出600—6000MHz 150W GaN系統放大器
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美國Integra公司推出碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)射頻功率放大器模塊用于高性能L波段航空電子系統
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美國Macom公司新推出GaAs基單刀雙擲開關針對電子戰和寬帶通信系統等應用進行了優化
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