當稿件被《半導體信息》期刊退修后,可按以下流程進行修改,以提高錄用概率:
一、分析退稿原因
1.?仔細閱讀退稿通知:明確編輯或審稿人指出的問題,如選題不符、創(chuàng)新性不足、數(shù)據(jù)缺陷或語言表達問題?。
2.區(qū)分退稿類型:可修改退稿、拒稿(若意見表明“研究方向不符”,建議改投其他期刊)
二、針對性修改策略
1.深入探討研究問題,提供更全面、深入的分析和討論。
2.增加相關理論背景和文獻綜述,以支持研究論點的合理性和創(chuàng)新性。
三、重新投稿準備
1.?附修改說明:逐條回應審稿意見,說明修改內容及依據(jù)。
2.核對期刊要求:
(一)若有基金資助,請在題名下方另行“基金項目”寫明項目全稱及批號,并上傳基金批文復印件。
(二)文稿標題層次用阿拉伯數(shù)字分級編號,如1級標題用 1……,2級標題用1.1……,余類推。通常設2至3級,不超過4級。文內標題力求簡短,一般不超過15個字。
(三)參考文獻:列出作者親自閱讀過的、公開發(fā)表的文獻。
(四)關鍵詞論著須分別在中、英文摘要后標引2~5個中、英文關鍵詞。
(五)作者姓名在題名下按序排列,排序應由全體作者共同討論確定,稿件受理后不應再作改動。確需改動時,必須出示單位證明以及所有作者親筆簽名表明對署名改動無異議的書面證明。
綜上所述,通過不斷地修改和完善,提高稿件的質量和學術水平,增加被期刊錄用的機會。
《半導體信息》是一本在電子領域具有較高影響力的學術理論期刊,于1990年創(chuàng)刊,由中國半導體行業(yè)協(xié)會分立器件專業(yè)協(xié)會 信息產業(yè)部電子第五十五研究所主管,中國半導體行業(yè)協(xié)會分立器件分會;中國電子科技集團公司第五十五研究所主辦,為雙月刊。
該刊設置了企業(yè)指南、國內外半導體技術與器件、市場動態(tài)等欄目,覆蓋電子領域多個研究方向,以反映電子領域的最新動態(tài)和發(fā)展趨勢。
半導體信息發(fā)表范例
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力特公司推出首款1700V SiC MOSFET
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提高車載充電器效率 英飛凌推首款車用碳化硅產品
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英飛凌推出新型950V CoolMOS P7超結MOSFET器件
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埃賦隆半導體推出大功率堅固型BLF189XRA RF功率晶體管
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Integra公司推出用于敵我識別器航空電子設備的射頻和微波晶體管
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Ampleon面向粒子加速器推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶體管而引領射頻功率效率
作者:--
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英國比克科技兩款射頻新產品
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Empower RF 推出600—6000MHz 150W GaN系統(tǒng)放大器
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美國Integra公司推出碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)射頻功率放大器模塊用于高性能L波段航空電子系統(tǒng)
作者:--
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美國Macom公司新推出GaAs基單刀雙擲開關針對電子戰(zhàn)和寬帶通信系統(tǒng)等應用進行了優(yōu)化
作者:--
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