當(dāng)稿件被《Journal of Semiconductors》期刊退修后，可按以下流程進(jìn)行修改，以提高錄用概率：

一、分析退稿原因

1.?仔細(xì)閱讀退稿通知：明確編輯或?qū)徃迦酥赋龅膯栴}，如選題不符、創(chuàng)新性不足、數(shù)據(jù)缺陷或語言表達(dá)問題?。

2.區(qū)分退稿類型：可修改退稿、拒稿（若意見表明“研究方向不符”，建議改投其他期刊）

二、針對(duì)性修改策略

1.深入探討研究問題，提供更全面、深入的分析和討論。

2.增加相關(guān)理論背景和文獻(xiàn)綜述，以支持研究論點(diǎn)的合理性和創(chuàng)新性。

三、重新投稿準(zhǔn)備

1.?附修改說明：逐條回應(yīng)審稿意見，說明修改內(nèi)容及依據(jù)。

2.核對(duì)期刊要求：

(一)論文要明確地提出問題，論證嚴(yán)密，符合邏輯；對(duì)所研究問題的理論和現(xiàn)實(shí)背景有清楚的描述，對(duì)相關(guān)領(lǐng)域現(xiàn)有的研究有必要的說明；清晰說明已有文獻(xiàn)與所投稿件在學(xué)術(shù)貢獻(xiàn)方面的區(qū)別與承啟關(guān)系，并指出論文的創(chuàng)新之處。

(二)來稿內(nèi)容：標(biāo)題、作者、摘要、關(guān)鍵詞、正文、基金項(xiàng)目、注釋、參考文獻(xiàn)、作者簡(jiǎn)介。

(三)參考文獻(xiàn)的著錄格式采用順序編碼制，著錄表置于文末，其排列順序以正文出現(xiàn)的先后為準(zhǔn)，文內(nèi)用方括號(hào)按先后順序標(biāo)注，且置于行文的右上角。

(四)題目：中文標(biāo)題一般少于30字，簡(jiǎn)短鮮明表明文章研究?jī)?nèi)容，盡量不用副標(biāo)題及外文縮寫詞，避免使用非通用縮寫詞、字符等。英文標(biāo)題應(yīng)與中文標(biāo)題一致，并符合英文表達(dá)習(xí)慣。

(五)引言一般不超過500字，概述本研究的理論依據(jù)、思路、實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)及國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀，并應(yīng)明確提出論文研究的目的。

(六)論文所引文獻(xiàn)的注釋必須規(guī)范，準(zhǔn)確標(biāo)明作者、文獻(xiàn)名稱、出版社或出版物的名稱、出版或發(fā)表的時(shí)間、頁(yè)碼等。注釋一律采用腳注方式，注釋序號(hào)使用1、2、3……標(biāo)示，每頁(yè)單獨(dú)排序。

(七)作者人數(shù)請(qǐng)控制在6人以下，嚴(yán)禁與論文無關(guān)人員掛名。聯(lián)系人請(qǐng)注明姓名、單位、地址、郵編、電子郵件等信息。

(八)文章摘要應(yīng)具有獨(dú)立性和自明性，內(nèi)容一般包括研究目的、方法及主要結(jié)果與結(jié)論，應(yīng)是一篇完整的短文，字?jǐn)?shù)100-200字；提供3個(gè)以上關(guān)鍵詞。

(九)如果論文涉及的是有關(guān)基金項(xiàng)目的研究?jī)?nèi)容，頒注明基金或資助機(jī)構(gòu)的名稱、項(xiàng)目編號(hào)，交稿時(shí)需附交項(xiàng)目批準(zhǔn)工件復(fù)印件或電子文檔。

綜上所述，通過不斷地修改和完善，提高稿件的質(zhì)量和學(xué)術(shù)水平，增加被期刊錄用的機(jī)會(huì)。

《Journal of Semiconductors》是一本在電力領(lǐng)域具有較高影響力的學(xué)術(shù)理論期刊，于1980年創(chuàng)刊，由中國(guó)科學(xué)院主管，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;中國(guó)電子學(xué)會(huì)主辦，為月刊，國(guó)內(nèi)統(tǒng)一刊號(hào)為CN：11-5781/TN，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)刊號(hào)為ISSN：1674-4926。

該刊設(shè)置了研究論文、研究快報(bào)、研究簡(jiǎn)報(bào)、技術(shù)進(jìn)展等欄目，覆蓋電力領(lǐng)域多個(gè)研究方向，以反映電力領(lǐng)域的最新動(dòng)態(tài)和發(fā)展趨勢(shì)。

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