當稿件被《半導體技術》期刊退修后,可按以下流程進行修改,以提高錄用概率:
一、分析退稿原因
1.?仔細閱讀退稿通知:明確編輯或審稿人指出的問題,如選題不符、創新性不足、數據缺陷或語言表達問題?。
2.區分退稿類型:可修改退稿、拒稿(若意見表明“研究方向不符”,建議改投其他期刊)
二、針對性修改策略
1.深入探討研究問題,提供更全面、深入的分析和討論。
2.增加相關理論背景和文獻綜述,以支持研究論點的合理性和創新性。
三、重新投稿準備
1.?附修改說明:逐條回應審稿意見,說明修改內容及依據。
2.核對期刊要求:
(一)其他未及事宜,若發生爭議,雙方將協商解決;若協商不成,則按照《中華人民共和國著作權法》和有關的法律法規處理。
(二)題目準確、簡明,能概括論文要義;不超過20個字。
(三)以單字母方式標識以下各種參考文獻類型:普通圖書 [ M ],會議論文 [C],報紙文章 [N],期刊文章 [J],學位論文 [D],報告 [R],標準 [S],專利〔P〕,匯編 [G],檔案 [B],古籍 [O],參考工具 [K]。
(四)稿件需為原創,要求數據完整、可靠,結論明確。文章須由關鍵詞3—5個,內容摘要300字以內。
(五)注釋格式與順序為著者(含整理者、點校者)、書名(章節數)、卷數(章節名)、版本(出版社與出版年月)及頁碼等。
綜上所述,通過不斷地修改和完善,提高稿件的質量和學術水平,增加被期刊錄用的機會。
《半導體技術》是一本在電子領域具有較高影響力的學術理論期刊,于1976年創刊,由中國電子科技集團公司主管,中國電子科技集團公司第十三研究所主辦,為月刊,國內統一刊號為CN:13-1109/TN,國際標準刊號為ISSN:1003-353X。
該刊設置了趨勢與展望、半導體集成電路、半導體器件、半導體制備技術、先進封裝技術等欄目,覆蓋電子領域多個研究方向,以反映電子領域的最新動態和發展趨勢。
半導體技術發表范例
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Co3O4-ZnO p-n異質結構低溫丙酮氣體傳感器
作者:韓楠; 潘國峰; 鄭潔; 王如
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富銦磷化銦晶體中銦夾雜物基體特征分析
作者:王昊宇; 楊瑞霞; 孫聶楓; 王書杰; 田樹盛; 陳春梅; 劉惠生
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先進電子器件封裝中鍵合引線的電磁特性
作者:左盼盼; 王蒙軍; 鄭宏興; 李爾平
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基于Elman神經網絡模型的IGBT壽命預測
作者:劉子英; 朱琛磊
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