當稿件被《半導體光電》期刊退修后,可按以下流程進行修改,以提高錄用概率:
一、分析退稿原因
1.?仔細閱讀退稿通知:明確編輯或審稿人指出的問題,如選題不符、創新性不足、數據缺陷或語言表達問題?。
2.區分退稿類型:可修改退稿、拒稿(若意見表明“研究方向不符”,建議改投其他期刊)
二、針對性修改策略
1.深入探討研究問題,提供更全面、深入的分析和討論。
2.增加相關理論背景和文獻綜述,以支持研究論點的合理性和創新性。
三、重新投稿準備
1.?附修改說明:逐條回應審稿意見,說明修改內容及依據。
2.核對期刊要求:
(一)摘要中不出現圖、表、化學結構式和非公知用的符號和術語,也不宜引用文中圖、表、公式和參考文獻的序號。關鍵詞一般選用3~5個敘詞,中英文相一致。
(二)“作者簡介”的格式如下:作者簡介包括:姓名、學位、職稱、研究方向,研究生文章需其導師任通訊作者,并注明通訊作者的職稱、是否碩博導師。
(三)正文采用宋體五號。凡另起一行的整段引文用五號楷體,前(左)面縮進四格,后 (右)面不縮進。
(四)參考文獻在文中需用括號表示著者和出版年信息,例如(王玲,1983),著錄根據《信息與文獻 參考文獻著錄規則》(GB/T 7714—2015)國家標準的規定執行。
(五)作者請自留底稿,3個月內未收到采用通知可自行處理。因本刊人手有限,來稿恕不退還,請多諒解。
綜上所述,通過不斷地修改和完善,提高稿件的質量和學術水平,增加被期刊錄用的機會。
《半導體光電》是一本在電子領域具有較高影響力的學術理論期刊,于1976年創刊,由中國電子科技集團有限公司主管,重慶光電技術研究所主辦,為雙月刊,國內統一刊號為CN:50-1092/TN,國際標準刊號為ISSN:1001-5868。
該刊設置了動態綜述、光電器件、材料、結構及工藝、光電技術及應用等欄目,覆蓋電子領域多個研究方向,以反映電子領域的最新動態和發展趨勢。
半導體光電發表范例
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選擇區域外延生長中掩模介質表面Ga原子的遷移特性
作者:楊杭; 邢潔瑩; 陳偉杰; 陳杰; 韓小標; 鐘昌明; 梁捷智; 黃德佳; 侯雅倩; 吳志盛; 張佰君
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CH3NH3PbI3鈣鈦礦太陽電池晶粒尺寸及光電性能調控
作者:鄭建強; 陳濤; 倪斌; 范煒盛; 程國慶; 王玉琦
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基于CMOS工藝的抗光噪聲神經微電極
作者:王飛; 張雪蓮; 裴為華; 陳弘達
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全透明低回滯s-SWCNT/AgNW薄膜晶體管的可控制備
作者:呂前進; 余小芹; 呂正霞; 高冰; 張小品; 邱松; 金赫華; 門傳玲; 李清文
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膜厚對泡沫鎳負載TiO2納米薄膜附著度和光電響應的影響
作者:王雅琨; 劉明生; 李燕; 楊新榮
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基于光波導的高耦合效率垂直耦合結構設計
作者:來新泉; 王一鳴; 劉晨; 張凌飛
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PCB板級電路中高效散熱結構的優化設計
作者:劉維紅; 李丹
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Pt負載型TiO2納米管陣列的制備及其紫外探測性能
作者:程宏偉; 李剛; 郭麗芳; 程再軍
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改型Wollaston棱鏡干涉光譜儀的調制度研究
作者:叢麟驍; 黃旻; 才啟勝; 齊云松
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衛星星內漫反射無線光通信系統設計
作者:張子儒; 張冬冬; 丁雷
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